Encyklopedia 25.08.2020Prawo zachowania ładunkuZasada zachowania ładunku elektrycznego dotyczy układu ciał izolowanych elektrycznie.
Encyklopedia 12.08.2020Dzielnik napięciaDzielnik napięcia - rodzaj czwórnika zapewniający odpowiedni podział napięcia doprowadzonego do wejścia układu.
Encyklopedia 06.08.2020PiezoelektrykPiezoelektryk – materiał krystaliczny wykazujący właściwości piezoelektryczne (monokryształ, polikryształ), także pewne substancje organiczne, ceramika oraz syntetyki (poliwinylofluoryt, polipropylen, polichlorek winylu).
Encyklopedia 30.07.2020CzwórnikUkład elektroniczny o dowolnej architekturze wewnętrznej posiadający zewnętrzne wyprowadzenia w postaci dwóch par zacisków zwanych bramą wejściową i wyjściową.
Encyklopedia 24.07.2020Efekt piezoelektrycznyZjawisko generacji ładunków elektrycznych na powierzchni niektórych kryształów pod wpływem naprężeń mechanicznych.
Encyklopedia 15.07.2020Przetwornik międzypalczastyPrzetwornik międzypalczasty (interdigital transducer) - rodzaj przetwornika akustoelektronicznego działającego w oparciu o zjawisko piezoelektryczne, którego zadaniem jest przetwarzanie sygnałów elektrycznych na akustyczną falę powierzchniową (AFP
Encyklopedia 10.07.2020MillipedeMillipede – rodzaj elektromechanicznej pamięci macierzowej zaprojektowany przez IBM.
Encyklopedia 08.07.2020Technologia CMOSTechnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) - technologia wytwarzania układów scalonych zbudowanych w oparciu o komplementarne tranzystory MOS posiadające przeciwne typy kanałów (n i p).
Encyklopedia 03.07.20203D XPoint3D XPoint – otwarta technologia produkcji pamięci nieulotnej wykorzystująca zjawisko zmiany rezystancji materiału komórek pamięci w celu zapisania informacji, będąca wspólnym projektem badawczym Intel oraz Micron Technology.
Encyklopedia 01.07.2020XDR DRAMXDR DRAM (extreme data rate dynamic random-access memory) – rodzaj dynamicznej pamięci o dostępie swobodnym, której właścicielem patentowym jest Rambus.
Encyklopedia 29.06.2020Technologia MOSTechnologia MOS (metal-oxide-semiconductor) - podstawowa technologia wytwarzania tranzystorów, półprzewodnikowych układów scalonych oraz sensorów optycznych, której cechą charakterystyczną jest struktura złożona z trzech warstw: metalu (tzw.
Encyklopedia 24.06.2020VCM SDRAMVCM SDRAM (Virtual Channel Memory SDRAM) - moduł pamięci SDRAM opracowany przez firmę NEC i zaoferowany bez opłat licencyjnych w formie otwartego standardu.