3D XPoint

0
75

3D XPoint – otwarta technologia produkcji pamięci nieulotnej wykorzystująca zjawisko zmiany rezystancji materiału komórek pamięci w celu zapisania informacji, będąca wspólnym projektem badawczym Intel oraz Micron Technology. Produkowane pod markami Optane (Intel) oraz QuantX (Micron) podzespoły pamięci mogą być np. tańszą alternatywą dla drogich wariantów dysków SSD, pełnić rolę pamięci podręcznej dla HDD, oraz występować jako dodatek do RAM pod postacią modułów kompatybilnych z DDR4. 

Charakterystyczną cechą takiej pamięci jest brak tranzystorów użytych do budowy komórek. Komórki pamięci 3D XPoint mogą być upakowane znacznie gęściej w porównaniu do DRAM, co zwiększa pojemność pamięci przy zachowaniu tej samej powierzchni nośnika, jednocześnie zmniejszając zużycie energii. Pamięci 3D XPoint charakteryzują się także wysoką trwałością oraz niskim czasem dostępu, za punkt odniesienia przyjmując pamięci typu NAND. 

Budowa i zasada działania

3D XPoint jest pamięcią rezystywną (memrystorową). Logiczna wartość komórki skorelowana jest tutaj z opornością materiału, z którego została wykonana. Oporność komórki można zmieniać wraz z wartością przyłożonego napięcia.

Struktura 3D XPoint

Pamięć tego rodzaju ma trójwymiarową strukturę. Komórki znajdują się na przecięciu linii pomiędzy siatkami metalowych połączeń, działając w systemie autonomicznych warstw – w kolejnych warstwach linie połączeń ułożone są prostopadle do poprzedniej warstwy. Taki układ sprawia, że komórki mogą być adresowane niezależnie.

Każda komórka pamięci składa się z materiału rezystywnego i selektora. Materiałem rezystywnym może być szkło chalkogenkowe (german, antymon, tellur), w roli selektora występuje dioda ograniczająca przepływ prądu do jednego kierunku, co zapobiega aktywowaniu komórki położonej w sąsiedniej warstwie. 

Zastosowania

Komputery osobiste, serwerownie, centra przetwarzania danych.

Dodaj komentarz

avatar
  Subscribe  
Powiadom o