EEPROM

0
74

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) – rodzaj stałej pamięci ROM programowalnej i wymazywalnej elektrycznie – kasowanie komórek pamięci odbywa się za pomocą prądu elektrycznego. Naświetlanie promieniami UV, jak w przypadku EPROM, nie jest konieczne i programowanie odbywa się w urządzeniu za pomocą odpowiedniego oprogramowania. 

Kasowanie danych znajdujących się w komórkach można wykonać w przypadku pamięci tego rodzaju selektywnie – nie istnieje konieczność wymazania bitów informacji znajdujących się we wszystkich komórkach pamięci jednocześnie. EEPROM projektowana jest na kilkanaście tysięcy cykli kasowania.

Budowa i działanie

Komórki pamięci EEPROM zbudowane są w oparciu o tranzystory polowe składające się z dwóch bramek: pływającej i sterującej. Zastosowanie cieńszej warstwy tlenku krzemu, niż w przypadku EPROM, pomiędzy bramką pływającą a drenem, oraz silnego pola elektrycznego, pozwala na wystąpienie zjawisk tunelowych wykorzystywanych podczas wysterowania tranzystora. Odpowiednio wysokie napięcie i polaryzacja bramka sterująca/dren powoduje gromadzenie lub rozładowanie ładunków bramki pływającej. Naładowanie bramki blokuje tranzystor, co odpowiada wartości logicznej “0”. Rozładowanie wymusza działanie tranzystora, co odpowiada wystąpieniu logicznej “1”.

Zastosowanie

EEPROM wykorzystywana jest do zapisu niewielkich ilości informacji, zawierających na ogół pliki konfiguracyjne danego urządzenia.

Dodaj komentarz

avatar
  Subscribe  
Powiadom o