Pamięć statyczna - SRAM

Pamięć statyczna RAM (Static Random Access Memory) - rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej. “Ulotna” oznacza, iż pamięć tego rodzaju przechowuje bity informacji jedynie przy włączonym zasilaniu (duże zużycie energii).

Budowa

Bity informacji przechowywane są w komórkach. Typowa komórka SRAM zbudowana jest z czterech tranzystorów MOSFET w układzie przerzutnika (dwustabilnego) oraz dwóch w obwodzie sterującym zapisem i odczytem. Taki układ posiada dużą szybkość działania i nie wymaga odświeżania (w przeciwieństwie do DRAM), stąd określenie "statyczna". Bity informacyjne zapamiętywane są w przerzutnikach - są tam obecne do momentu pojawienia się kolejnego bitu informacji (lub odcięcia zasilania). Struktura pamięci SRAM zbudowana jest z kolumn i wierszy, które określane są terminem matryca pamięci. Adresowanie komórki pamięci odbywa się przez wybór wiersza, w którym znajduje się dana komórka. Uaktywnione zostają wówczas wszystkie komórki w danym wierszu (linia słowa). Odczyt odpowiedniej kolumny daje dostęp do konkretnego bitu matrycy.

Zastosowanie

SRAM wykorzystywana jest jako pamięć podręczna (cache) buforująca dane wymieniane np. pomiędzy procesorem a pamięcią operacyjną.