BEDO DRAM

BEDO DRAM (Burst EDO) - odmiana pamięci operacyjnej będąca rozwinięciem możliwości EDO. Najbardziej wydajna praca pamięci toczy się trybie pakietowym. Przy częstotliwości magistrali 66 MHz tryb pakietowy realizowany jest w seriach cykli 5-1-1-1. Podawanie adresu kolumny przez chipset odbywa się co cztery cykle dostępu do komórki pamięci jedynie na początku serii (przetwarzanie czterech adresów w jednej serii) - kolejne trzy adresy kolumn są ustalane przez wewnętrzny generator adresów bez udziału chipsetu. 

BEDO pracuje w oparciu o dwa bloki (banki) pamięciowe, które przechowują pakiety danych. Gdy jeden bank wysyła dane, drugi w tym czasie może adresować. 

Praca potokowa i technika wewnętrznego generowania adresów kolumn, podwyższyła przepustowość transmisji danych dla tego rodzaju pamięci do 500 MB/s, co dawało ten sam wynik jak w przypadku wersji SDRAM PC-66. 

Standard BEDO był własnością Micron (nie był oferowany na zasadach wolnej licencji) i obsługiwany był jedynie przez jeden model chipsetu Intel, co nie przyczyniało się do jego popularyzacji.

Z tych powodów bardzo szybko wyparty został przez konkurencyjny rodzaj pamięci SDRAM, który zaczął być preferowany przez Intel oraz innych producentów.